Samsung цього кварталу запустить масове виробництво чипів за техпроцесом 3GAE з використанням транзисторів GAAFET (MBCFET)
Компанія Samsung заявила, що вона вже цього кварталу готується до початку крупносерійного виробництва чіпів на базі виробничого процесу 3GAE (3 nm-class gate all-around early). Це буде перша у галузі виробнича технологія класу 3 нм, а також перший вузол, у якому використовуються транзистори GAAFET (gate-all-around field effect transistors). Для довідки: архітектура GAAFET, що йде на зміну […]