Samsung показала робочий зразок 3-нм чіпа на базі технології MBCFET
Інженери південнокорейської Samsung Electronics представили перший робочий зразок 3-нм процесора, виготовленого за допомогою запатентованих транзисторів MBCFET. Передовий техпроцес був реалізований на прикладі мікросхеми SRAM – статичної пам’яті з довільним доступом. Система обійшла 7-нм техпроцес, широко використовуваний в сучасній електроніці, за всіма параметрами – з точки зору швидкості, щільності і енергоефективності. Зараз Samsung готується до масового […]