Революція у світі мікрочіпів: TSMC анонсувала будівництво двох заводів для виробництва ультрасучасних 2-нм чіпів
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), провідний світовий виробник напівпровідників, оголосив про початок будівництва двох нових фабрик для розроблення та виготовлення чипів, заснованих на передовому 2-нанометровому техпроцесі (N2). Додатково тривають підготовчі роботи для будівництва третьої фабрики, яке належить почати після отримання схвалення від уряду Тайваню.
Марк Лю (Mark Liu), голова ради директорів TSMC, поділився планами компанії під час розмови з аналітиками та інвесторами, висловивши впевненість у початку масового виробництва чипів з використанням 2-нм техпроцесу вже у 2025 році. Він також згадав про прагнення компанії розгорнути кілька виробничих майданчиків у наукових парках Хсінчу і Каосюн для задоволення зростаючого попиту.
Першу фабрику буде розміщено поблизу Баошаня в Хсінчу, недалеко від дослідницького центру R1, який був спеціально створений для розробки 2-нм технології. Очікується, що фабрика розпочне масове виробництво 2-нм напівпровідників уже в другій половині 2025 року. Друга фабрика, також призначена для виробництва 2-нм чипів, буде розташована в науковому парку Каосюн, що входить до складу Південного наукового парку Тайваню. Її запуск планується на 2026 рік.
Додатково, TSMC активно працює над отриманням дозволів від влади Тайваню на будівництво ще однієї фабрики в науковому парку Тайчжун. Якщо будівництво цього об’єкта розпочнеться 2025 року, він зможе почати свою роботу вже 2027 року. З введенням в дію всіх трьох фабрик, здатних випускати чіпи з використанням 2-нм техпроцесу, TSMC істотно зміцнить свої позиції на світовому ринку напівпровідників, запропонувавши клієнтам нові потужності для виробництва чіпів нового покоління.
У планах компанії на найближче майбутнє – початок масового виробництва із застосуванням 2-нм техпроцесу, що охоплює використання транзисторів з нанолистами і круговими затворами (GAA) у другій половині 2025 року. До 2026 року передбачається впровадження вдосконаленої версії цього техпроцесу, який, як очікується, передбачатиме подачу живлення зі зворотного боку кристала, розширюючи таким чином можливості масового виробництва.
