Samsung Foundry запускає 4-нм чипи нового покоління

Samsung Foundry здійснює значний прорив у напівпровідниковій індустрії, розпочавши масове виробництво інноваційних 4-нанометрових чипів четвертого покоління. Нова технологія SF4X відкриває нові можливості для розвитку штучного інтелекту та високопродуктивних обчислень, встановлюючи нові стандарти у світі напівпровідників.

Технологічний прорив у виробництві напівпровідників

Samsung Foundry демонструє значний прогрес у розробці передових напівпровідникових технологій, запустивши масове виробництво чипів четвертого покоління за 4-нм техпроцесом. Новий техпроцес SF4X є найбільш досконалим рішенням компанії у лінійці FinFET та орієнтований на високопродуктивні обчислення (HPC) та штучний інтелект.

Технологія відзначається впровадженням удосконаленої архітектури Back End Of Line, що значно зменшує затримки RC-сигналів завдяки оптимізованій системі металізації. Інтеграція високошвидкісних транзисторів нового покоління забезпечує підвищену обчислювальну потужність, критично важливу для AI-застосунків.

SF4X також підтримує передові технології пакування 2.5D та 3D, що розширює можливості для створення складних систем на чипі. Технологія вже привернула увагу провідних розробників AI-рішень – американський стартап Grok та південнокорейська компанія HyperExcel обрали цей техпроцес для своїх майбутніх продуктів.

Незважаючи на те, що TSMC зберігає лідерство на ринку з часткою 67.1%, запуск виробництва SF4X може стати ключовим фактором для зміцнення позицій Samsung Foundry у сегменті передових напівпровідникових технологій, особливо в контексті зростаючого попиту на чипи для штучного інтелекту та високопродуктивних обчислень.

Ви читаєте незалежне україномовне видання "SUNDRIES". Ми не належимо ні олігархам, ні депутатам. Отож ми потребуємо Вашої підтримки для розвитку та збереження незалежності. Підтримайте нас!

Цей веб-сайт використовує файли cookie, щоб покращити ваш досвід. Ми припустимо, що ви з цим згодні, але ви можете відмовитися, якщо хочете. Прийняти Читати більше