Samsung розробляє новий тип пам’яті, який отримав назву Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, повідомляє Tom’s Hardware.
Ця пам’ять відзначається високою пропускною здатністю, мінімальною затримкою та низьким рівнем енергоспоживання.
Згідно з інформацією, наданою Samsung, LLW DRAM ідеально підходить для систем штучного інтелекту на основі великих мовних моделей (LLM).
Нова пам’ять пропонує широкі можливості вводу-виводу, низьку затримку і пропускну здатність на рівні 128 Гбайт/с на модуль. Це можна порівняти з поєднанням пам’яті DDR5-8000 і 128-бітної шини.
Однією з ключових особливостей LLW DRAM визначається його низьке енергоспоживання — лише 1,2 пДж/біт, хоча конкретна швидкість передачі, при якій вимірювалася ця величина, залишається невідомою.
Хоча Samsung ще не повідомила про терміни випуску нової пам’яті на ринок, враховуючи оприлюднені характеристики, розробка LLW DRAM, ймовірно, вже практично завершена.
Очікується, що ця інноваційна технологія буде використана в периферійних обчислювальних пристроях для систем штучного інтелекту — смартфони, ноутбуки та, можливо, автомобілі.
