IBM та Samsung Electronics оголосили про прорив у проєктуванні напівпровідникових мікросхем. Партнерам вдалося створити «вертикально розташовані транзистори» – конструкцію чіпів, в якій частина компонентів встановлюється перпендикулярно один до одного. Вже на першому етапі розробки така система виявилася здатна подвоїти продуктивність мікросхем або знизити їхнє енергоспоживання на 85%. У довгостроковій перспективі технологія дозволить обійти закон Мура і створити смартфони, які працюють тиждень без підзарядки, розповіли в IBM.
Спільна розробка IBM та Samsung називається «вертикальними транспортними польовими транзисторами» (VTFET). Система радикально відрізняється від сучасних моделей, в яких транзистори лежать на поверхні кремнію, поруч один з одним, а електричний струм тече з боку в сторону. VTFET передбачає багатошарову конструкцію – в таких процесорах транзистори розташовані як паралельно, так і перпендикулярно один одному, а струм тече вертикально.
Як повідомляє Engadget, конструкція дає дві ключові переваги для потенційних клієнтів IBM і Samsung. В першу чергу вона дозволить обійти обмеження продуктивності та в майбутньому розширить закон Мура — автори хочуть вийти за межі існуючої технології нанолистів. У рамках спільного дослідження IBM і Samsung з’ясували, що навіть тестові зразки підвищують обчислювальний потенціал майбутніх процесорів у два рази. І вони також можуть знизити енергоспоживання мікросхем на 85%.
Інженери ІТ-гігантів відзначили, що смартфони та інша споживча електроніка, побудована на базі VTFET, зможе працювати цілий тиждень без підзарядки. Крім того, нова технологія може стати в пригоді майнерам криптовалют, вважають в IBM, — таким чином видобуток криптовалюти стане більш енергоефективним і, отже, менш шкідливим для навколишнього середовища процесом.
Крім Samsung та IBM, над аналогічними мікросхемами також працюють у компанії Intel. У недавньому дослідженні, присвяченому технологічному прогресу після 2025 року, аналітики Intel заявили, що незабаром найбільші ІТ-компанії почнуть переходити на тривимірні чіпи – розробка стане складнішою і дорожчою, але самі технології – на порядок продуктивнішими.
Раніше в цьому році інженери з Массачусетського технологічного інституту (MIT), Національного університету Тайваню (NTU) та компанії TSMC також повідомили, що готові обійти Закон Мура. Міжнародна група розробила процес за участі напівметалевого вісмуту, який дозволяє виробляти напівпровідники на рівні 1-нм техпроцесу. Поки що технологія знаходиться на етапі ранніх випробувань, але автори вже обіцяють чотириразовий приріст продуктивності для практично будь-якої електроніки.
