Samsung розробила швидку оперативну пам’ять LLW DRAM
Samsung розробляє новий тип пам’яті, який отримав назву Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, повідомляє Tom’s Hardware. Ця пам’ять відзначається високою пропускною здатністю, мінімальною затримкою та низьким рівнем енергоспоживання. Згідно з інформацією, наданою Samsung, LLW DRAM ідеально підходить для систем штучного інтелекту на основі великих мовних моделей (LLM). Нова пам’ять пропонує широкі можливості вводу-виводу, низьку […]